MOS管和IGBT管作為現代電子設備使用頻率較高的新型電子器件，因此在電子電路中常常碰到也習以為常。可是MOS管和IGBT管由于外形及靜態參數相似的很，有時在選擇、判斷、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的識別方法為選擇、判斷、使用掃清障礙!
MOS管(guan)
MOS管即MOSFET，中文名(ming)金屬氧化物半導體絕緣柵(zha)場效應管。其特性(xing)，輸入(ru)阻(zu)抗高、開關速度快、熱穩定性(xing)好(hao)、電壓控制電流(liu)等(deng)特性(xing)。
IGBT管(guan)
IGBT中文名絕緣柵雙極型場效應晶體(ti)管(guan)(guan)(guan)，是(shi)(shi)MOS管(guan)(guan)(guan)與(yu)晶體(ti)三極管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)組合(he)，MOS是(shi)(shi)作為輸入管(guan)(guan)(guan)，而晶體(ti)三極管(guan)(guan)(guan)作為輸出管(guan)(guan)(guan)。于(yu)是(shi)(shi)三極管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)功(gong)率做的(de)(de)挺(ting)大，因此兩(liang)者組合(he)后即得到了(le)(le)MOS管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)優點又獲得了(le)(le)晶體(ti)三極管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)優點。
綜上(shang)所述的(de)(de)(de)兩種晶(jing)體管(guan)，是目(mu)前電子設備使用頻率很高(gao)的(de)(de)(de)電子元器件，兩者在(zai)外形(xing)及靜態參數極其相似(si)，某些(xie)電子產品是存(cun)在(zai)技術壟斷， 在(zai)電路中有時它們(men)的(de)(de)(de)型號是被擦掉(diao)的(de)(de)(de)，截止目(mu)前，它們(men)在(zai)命名標(biao)準(zhun)及型號統又沒有統一標(biao)準(zhun)，而外型及管(guan)腳(jiao)的(de)(de)(de)排列相似(si)，根本無規律可循，成為維修(xiu)過程中的(de)(de)(de)攔(lan)路虎，如何(he)區分和(he)判斷成為必要手段。
MOS管(guan)和IGBT管(guan)的辨別
帶(dai)阻(zu)尼(ni)的(de)(de)(de)NPN型(xing)(xing)(xing)IGBT管與N溝道增強(qiang)型(xing)(xing)(xing)MOMS管的(de)(de)(de)識別帶(dai)阻(zu)尼(ni)的(de)(de)(de)NPN型(xing)(xing)(xing)IGBT管與N溝道增強(qiang)型(xing)(xing)(xing)MOMS管它們的(de)(de)(de)柵(zha)極(ji)(ji)(ji)位(wei)置(zhi)一樣，IGBT管的(de)(de)(de)C極(ji)(ji)(ji)位(wei)置(zhi)跟MODS管的(de)(de)(de)D極(ji)(ji)(ji)位(wei)置(zhi)相對應(ying)，IGBT管的(de)(de)(de)e極(ji)(ji)(ji)位(wei)置(zhi)跟MODS管的(de)(de)(de)S極(ji)(ji)(ji)位(wei)置(zhi)相對應(ying)，對它們的(de)(de)(de)好壞判(pan)斷及及區分可以(yi)用動靜態測量方法來完成。
一、靜態測量判斷MOS管(guan)和(he)IGBT管(guan)的好(hao)壞
先將兩個(ge)管(guan)(guan)(guan)子(zi)(zi)的(de)(de)(de)管(guan)(guan)(guan)腳短(duan)路放掉靜(jing)電(dian)(dian)，MOS管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)(de)D極(ji)與S極(ji)之(zhi)間有(you)個(ge)PN接，正向(xiang)導(dao)通(tong)反(fan)向(xiang)截止，于是有(you)Rgd=Rgs=Rds=無(wu)窮大(da)，Rsd=幾(ji)千歐。IGBT管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)(de)G極(ji)到(dao)c、e極(ji)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)阻應為(wei)無(wu)窮大(da)，即Rgc=Rge=無(wu)窮大(da)，而IGBT管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)(de)之(zhi)間有(you)阻尼(ni)二(er)極(ji)管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)(de)存在，因此具有(you)單向(xiang)導(dao)電(dian)(dian)反(fan)向(xiang)截止特性，即Rce=無(wu)窮大(da)，Rec=幾(ji)千歐。從這(zhe)里(li)只能用萬用表(biao)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)阻檔(dang)判斷出(chu)(chu)管(guan)(guan)(guan)子(zi)(zi)的(de)(de)(de)好壞，卻區(qu)分不出(chu)(chu)是那種管(guan)(guan)(guan)子(zi)(zi)。測量(liang)得阻值很小，則說明(ming)管(guan)(guan)(guan)子(zi)(zi)被擊穿，測量(liang)阻值很大(da)，說明(ming)管(guan)(guan)(guan)子(zi)(zi)內(nei)部(bu)斷路。
動態(tai)測(ce)量區分(fen)MOS管(guan)和IGBT管(guan)
先用萬用表(biao)給管子的柵極施加電壓，是場效應管建立(li)起溝(gou)道，然后(hou)測量(liang)D、S及c、e之(zhi)間的阻值，根據阻值的差(cha)異來區分MOS管和IGBT管。
用萬(wan)用表的(de)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)檔測(ce)量(liang)兩(liang)個(ge)管(guan)子(zi)的(de)D、S及c、e之間的(de)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)，由于(yu)場效應管(guan)已經建立溝(gou)道，Rds=Rsd≈0，而Rce之間呈(cheng)現電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)Rce，晶體(ti)三極(ji)管(guan)處于(yu)放大狀態的(de)導通電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)，Rec為內部(bu)阻(zu)(zu)尼二(er)極(ji)管(guan)的(de)導通電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)，兩(liang)者均為幾千歐(ou)。因此根據測(ce)量(liang)可知，兩(liang)個(ge)管(guan)子(zi)的(de)導通程度不一(yi)樣，MOS管(guan)的(de)D、S之間電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值是遠小于(yu)IGBT管(guan)c、e之間的(de)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值，于(yu)是可以分辨(bian)出MOS與IGBT管(guan)。
