MOS管和IGBT管作為現代電子設備使用頻率較高的新型電子器件，因此在電子電路中常常碰到也習以為常。可是MOS管和IGBT管由于外形及靜態參數相似的很，有時在選擇、判斷、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的識別方法為選擇、判斷、使用掃清障礙!
MOS管
MOS管(guan)即MOSFET，中文名(ming)金屬氧化物半導體(ti)絕緣(yuan)柵場(chang)效應管(guan)。其特性(xing)，輸(shu)入(ru)阻抗(kang)高、開(kai)關速度(du)快、熱(re)穩定(ding)性(xing)好、電壓控制電流等(deng)特性(xing)。
IGBT管
IGBT中文名絕緣(yuan)柵(zha)雙極型場效應(ying)晶體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)，是MOS管(guan)(guan)(guan)(guan)與(yu)晶體(ti)(ti)三(san)極管(guan)(guan)(guan)(guan)的(de)組(zu)合(he)(he)，MOS是作(zuo)為(wei)輸(shu)入管(guan)(guan)(guan)(guan)，而晶體(ti)(ti)三(san)極管(guan)(guan)(guan)(guan)作(zuo)為(wei)輸(shu)出管(guan)(guan)(guan)(guan)。于是三(san)極管(guan)(guan)(guan)(guan)的(de)功率做的(de)挺大，因此兩者組(zu)合(he)(he)后即得到了(le)MOS管(guan)(guan)(guan)(guan)的(de)優點又獲得了(le)晶體(ti)(ti)三(san)極管(guan)(guan)(guan)(guan)的(de)優點。
綜上(shang)所述的(de)兩種晶體(ti)管(guan)，是目(mu)前電(dian)(dian)子設備使用頻率很高的(de)電(dian)(dian)子元器件，兩者在(zai)外(wai)形及靜態參數極其相似(si)(si)，某些電(dian)(dian)子產(chan)品是存在(zai)技(ji)術壟斷， 在(zai)電(dian)(dian)路(lu)中有時(shi)它們的(de)型(xing)(xing)號(hao)是被擦掉的(de)，截(jie)止(zhi)目(mu)前，它們在(zai)命名標(biao)準及型(xing)(xing)號(hao)統(tong)又沒有統(tong)一標(biao)準，而外(wai)型(xing)(xing)及管(guan)腳(jiao)的(de)排列相似(si)(si)，根本無規律可循，成為維修過程中的(de)攔(lan)路(lu)虎，如何區分和判斷成為必(bi)要(yao)手段。
MOS管和(he)IGBT管的(de)辨別
帶阻尼的(de)(de)NPN型(xing)IGBT管(guan)(guan)與(yu)(yu)N溝道增強型(xing)MOMS管(guan)(guan)的(de)(de)識別帶阻尼的(de)(de)NPN型(xing)IGBT管(guan)(guan)與(yu)(yu)N溝道增強型(xing)MOMS管(guan)(guan)它(ta)們(men)的(de)(de)柵極位置一(yi)樣，IGBT管(guan)(guan)的(de)(de)C極位置跟MODS管(guan)(guan)的(de)(de)D極位置相(xiang)(xiang)對(dui)(dui)應，IGBT管(guan)(guan)的(de)(de)e極位置跟MODS管(guan)(guan)的(de)(de)S極位置相(xiang)(xiang)對(dui)(dui)應，對(dui)(dui)它(ta)們(men)的(de)(de)好(hao)壞(huai)判斷及(ji)及(ji)區分可(ke)以用(yong)動(dong)靜態測量(liang)方法來完成。
一、靜(jing)態測(ce)量(liang)判斷MOS管和IGBT管的(de)好壞
先(xian)將(jiang)兩個(ge)管子的管腳短(duan)路放掉靜電(dian)(dian)，MOS管的D極與S極之間(jian)有(you)(you)個(ge)PN接，正向(xiang)導通反向(xiang)截止，于是有(you)(you)Rgd=Rgs=Rds=無(wu)(wu)窮大(da)(da)，Rsd=幾千歐(ou)。IGBT管的G極到c、e極的電(dian)(dian)阻(zu)應為無(wu)(wu)窮大(da)(da)，即(ji)Rgc=Rge=無(wu)(wu)窮大(da)(da)，而IGBT管的之間(jian)有(you)(you)阻(zu)尼二極管的存在，因此具有(you)(you)單向(xiang)導電(dian)(dian)反向(xiang)截止特(te)性(xing)，即(ji)Rce=無(wu)(wu)窮大(da)(da)，Rec=幾千歐(ou)。從(cong)這里只能(neng)用(yong)萬(wan)用(yong)表的電(dian)(dian)阻(zu)檔判斷出管子的好壞，卻區分(fen)不出是那種管子。測(ce)量得阻(zu)值很(hen)小，則說明(ming)管子被(bei)擊(ji)穿(chuan)，測(ce)量阻(zu)值很(hen)大(da)(da)，說明(ming)管子內部斷路。
動態(tai)測量區分MOS管和IGBT管
先用(yong)萬用(yong)表給管(guan)子(zi)的柵(zha)極施加電(dian)壓，是場效應(ying)管(guan)建立(li)起溝道，然后測量(liang)D、S及c、e之間的阻值，根據阻值的差異來區分MOS管(guan)和IGBT管(guan)。
用萬用表的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)檔測(ce)量(liang)兩個管(guan)(guan)子的(de)(de)(de)D、S及c、e之(zhi)(zhi)(zhi)間的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)，由于(yu)(yu)場效應管(guan)(guan)已經建立溝道(dao)，Rds=Rsd≈0，而Rce之(zhi)(zhi)(zhi)間呈現(xian)電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)Rce，晶體三極管(guan)(guan)處于(yu)(yu)放大狀態的(de)(de)(de)導(dao)通電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)，Rec為內部阻(zu)(zu)尼(ni)二極管(guan)(guan)的(de)(de)(de)導(dao)通電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)，兩者均為幾千歐。因此根據測(ce)量(liang)可知，兩個管(guan)(guan)子的(de)(de)(de)導(dao)通程度不一樣，MOS管(guan)(guan)的(de)(de)(de)D、S之(zhi)(zhi)(zhi)間電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值是(shi)遠小于(yu)(yu)IGBT管(guan)(guan)c、e之(zhi)(zhi)(zhi)間的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值，于(yu)(yu)是(shi)可以分(fen)辨出MOS與(yu)IGBT管(guan)(guan)。
