JC-14還(huan)規(gui)定了可靠性(xing)試(shi)驗(yan)規(gui)范(fan)，如HTRB高(gao)溫(wen)反向偏(pian)置(zhi)試(shi)驗(yan)，H3TRB高(gao)濕高(gao)溫(wen)反偏(pian)實驗(yan)，TC溫(wen)度(du)周次等實驗(yan)的測試(shi)方(fang)法及判(pan)定依據。
JC-25: 晶體管委員會
JC-25的(de)職(zhi)責是制(zhi)定(ding)包括硅(gui)晶(jing)(jing)體管，如雙極晶(jing)(jing)體管、場效應晶(jing)(jing)體管和絕(jue)緣柵晶(jing)(jing)體管，以及智(zhi)能功率器件的(de)相關標(biao)準和出版物，這些文件有的(de)對工(gong)程(cheng)師在應用IGBT時都(dou)很有幫(bang)助，其(qi)中有如何測(ce)(ce)量管腳(jiao)溫度，如何用紅外(wai)成像測(ce)(ce)芯片溫度以及短路測(ce)(ce)試方法等。
JEP84A RECOMMENDED PRACTICE FOR MEASUREMENT OF TRANSISTOR LEAD TEMPERATURE
JEP138 USER GUIDELINES FOR IR THERMAL IMAGING DETERMINATION OF DIE TEMPERATURE
JESD24-9 SHORT CIRCUIT WITHSTAND TIME TEST METHOD
此(ci)外，JEDEC制定了一系列(lie)測(ce)試(shi)方法(fa)，基(ji)于(yu)這些方法(fa)，可以(yi)開發(fa)(fa)實用的測(ce)試(shi)儀(yi)(yi)器及(ji)測(ce)試(shi)平臺，例如 Mentor熱瞬態測(ce)試(shi)儀(yi)(yi)T3STER就是(shi)基(ji)于(yu)JESD51-14開發(fa)(fa)的。
JESD51-14 TRANSIENT DUAL INTERFACE TEST METHOD FOR THE MEASUREMENT OF THE THERMAL RESISTANCE JUNCTION-TO-CASE OF SEMICONDUCTOR DEVICES WITH HEAT FLOW THROUGH A SINGLE PATH
模塊標準體系——IEC
IEC是指國(guo)(guo)際(ji)電(dian)工委員會。它成(cheng)(cheng)立于1906年，是世界上成(cheng)(cheng)立最早的(de)(de)國(guo)(guo)際(ji)性(xing)電(dian)工標(biao)準化機(ji)構，負(fu)責有關電(dian)氣工程和電(dian)子工程領域中的(de)(de)國(guo)(guo)際(ji)標(biao)準化工作。第83屆(jie)IEC大會于2019年10月14日(ri)(ri)至25日(ri)(ri)在中國(guo)(guo)上海舉辦，主題為“質量成(cheng)(cheng)就(jiu)美(mei)好生活(huo)”，共邀請100多(duo)個國(guo)(guo)家的(de)(de)3800多(duo)名專家來華與(yu)會。
半導(dao)體(ti)(ti)器件屬(shu)于(yu)TC47技術委員會，IGBT單管和模塊(kuai)屬(shu)于(yu)SC47E分(fen)立半導(dao)體(ti)(ti)。這里分(fen)立半導(dao)體(ti)(ti)是區(qu)別(bie)于(yu)集成電路，也包(bao)括模塊(kuai)。英飛凌模塊(kuai)設計主要參(can)照IEC系(xi)列(lie)標準。
IEC60747系列標準規定了HTRB，H3TRB，PC和TST等可靠性實驗(yan)的(de)測(ce)試標準，IGBT器件遵守的(de)標準為
IEC60747-9 Semiconductor devices-Part 9 Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
IEC60747-9對應的國(guo)標是GB/T 29332—2012半導體器件(jian)(jian)分立器件(jian)(jian)，其中(zhong)第9部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBT），英(ying)飛凌是主要起草(cao)單位之一。
IGBT模塊所遵守標準是IEC60747-15 Discrete semiconductor devices-15 Isolated power semiconductor devices。
機械和氣候試驗方法標準適用標準為IEC60749 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods，對應的國標(biao)是GB/T 4937.1半導體(ti)器(qi)件機械和(he)氣候試(shi)驗(yan)方法。
應用系統相關標準
IGBT應用(yong)非常廣，有些應用(yong)領域和(he)行業針對其特定應用(yong)要求，制(zhi)定了相關標(biao)準。
在直流輸電領域是高壓大電流應用，對IGBT特別的要求，SAC/TC60/SC6(即原來的TC413)組織成立了工作組，制定了國家標準GB/T37660-2019 《柔性直流輸電用電力電子器件技術規范》，并于2020年1月1日(ri)實施。英飛凌派(pai)員加(jia)入工作組，參(can)加(jia)了起(qi)草工作。
在汽車行(xing)業(ye)中，有兩份相(xiang)關標(biao)準為業(ye)內人士熟(shu)知：
汽車級分立半導體應力測試方法，由汽車電子委員會(AEC) 制定，標準名為AEC-Q101 STRESS TEST QUALIFICATION FOR AUTOMOTIVE GRADE DISCRETE SEMICONDUCTORS。
汽車用IGBT模塊驗證規范，2018年4月由 ECPE 歐洲電力電子研究網絡發布，標準名為AQG 324 Qualification of Power Modules for Use in Power Electronics Converter Units (PCUs) in Motor Vehicles，它前身是LV324，由汽車行(xing)業的廠(chang)商代表編制，包括奧迪，BMW，戴姆勒，保時捷，大眾等(deng)。
