JC-14還規定了可靠(kao)性試驗(yan)規范，如HTRB高溫(wen)(wen)反向偏(pian)置試驗(yan)，H3TRB高濕高溫(wen)(wen)反偏(pian)實驗(yan)，TC溫(wen)(wen)度(du)周次等(deng)實驗(yan)的測試方(fang)法(fa)及判定依據。
JC-25: 晶體管委員會
JC-25的(de)職責是制定包括硅晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)，如雙極晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)、場效(xiao)應(ying)(ying)晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)和絕(jue)緣柵晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)，以(yi)及(ji)智能功率器件的(de)相(xiang)關標準和出(chu)版物，這些文件有(you)(you)(you)的(de)對工程(cheng)師在應(ying)(ying)用(yong)IGBT時都(dou)很(hen)有(you)(you)(you)幫助，其中有(you)(you)(you)如何(he)測量管(guan)(guan)腳溫度，如何(he)用(yong)紅外(wai)成(cheng)像測芯(xin)片(pian)溫度以(yi)及(ji)短路測試方法(fa)等(deng)。
JEP84A RECOMMENDED PRACTICE FOR MEASUREMENT OF TRANSISTOR LEAD TEMPERATURE
JEP138 USER GUIDELINES FOR IR THERMAL IMAGING DETERMINATION OF DIE TEMPERATURE
JESD24-9 SHORT CIRCUIT WITHSTAND TIME TEST METHOD
此外，JEDEC制定了一系(xi)列(lie)測(ce)試(shi)(shi)方法，基于這些(xie)方法，可以(yi)開發實用的(de)測(ce)試(shi)(shi)儀器及(ji)測(ce)試(shi)(shi)平臺，例如 Mentor熱瞬(shun)態測(ce)試(shi)(shi)儀T3STER就(jiu)是(shi)基于JESD51-14開發的(de)。
JESD51-14 TRANSIENT DUAL INTERFACE TEST METHOD FOR THE MEASUREMENT OF THE THERMAL RESISTANCE JUNCTION-TO-CASE OF SEMICONDUCTOR DEVICES WITH HEAT FLOW THROUGH A SINGLE PATH
模塊標準體系——IEC
IEC是(shi)指國際電(dian)工(gong)委員會(hui)。它成(cheng)立于(yu)1906年，是(shi)世界上成(cheng)立最早的(de)國際性電(dian)工(gong)標(biao)(biao)準化機構，負責有關電(dian)氣工(gong)程和(he)電(dian)子(zi)工(gong)程領域中的(de)國際標(biao)(biao)準化工(gong)作(zuo)。第83屆(jie)IEC大會(hui)于(yu)2019年10月14日(ri)至25日(ri)在中國上海舉辦(ban)，主題(ti)為(wei)“質量(liang)成(cheng)就(jiu)美好(hao)生活”，共邀請100多個(ge)國家(jia)的(de)3800多名(ming)專家(jia)來華與會(hui)。
半(ban)導體(ti)(ti)器件屬(shu)于TC47技術委(wei)員會，IGBT單(dan)管和模(mo)塊屬(shu)于SC47E分(fen)立半(ban)導體(ti)(ti)。這里(li)分(fen)立半(ban)導體(ti)(ti)是區別于集(ji)成電路，也包括模(mo)塊。英飛凌(ling)模(mo)塊設(she)計主要參照IEC系列標(biao)準。
IEC60747系(xi)列(lie)標準規定了HTRB，H3TRB，PC和(he)TST等可靠性實(shi)驗(yan)的(de)測試標準，IGBT器(qi)件(jian)遵守的(de)標準為
IEC60747-9 Semiconductor devices-Part 9 Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
IEC60747-9對(dui)應的國標是(shi)GB/T 29332—2012半(ban)導體器件分立器件，其(qi)中第(di)9部分：絕緣柵雙極(ji)晶體管（IGBT），英(ying)飛凌是(shi)主要起草單位之(zhi)一。
IGBT模塊所遵守標準是IEC60747-15 Discrete semiconductor devices-15 Isolated power semiconductor devices。
機械和氣候試驗方法標準適用標準為IEC60749 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods，對應的國標是GB/T 4937.1半導(dao)體器件機械和(he)氣候試(shi)驗方法。
應用系統相關標準
IGBT應(ying)用非(fei)常廣，有(you)些應(ying)用領(ling)域和(he)行業針對其特(te)定(ding)(ding)應(ying)用要求，制(zhi)定(ding)(ding)了相(xiang)關(guan)標準。
在直流輸電領域是高壓大電流應用，對IGBT特別的要求，SAC/TC60/SC6(即原來的TC413)組織成立了工作組，制定了國家標準GB/T37660-2019 《柔性直流輸電用電力電子器件技術規范》，并于2020年1月1日實施(shi)。英飛凌派員加入(ru)工(gong)作組，參加了起(qi)草工(gong)作。
在汽車行業(ye)中，有兩份相關標準為業(ye)內人士熟知：
汽車級分立半導體應力測試方法，由汽車電子委員會(AEC) 制定，標準名為AEC-Q101 STRESS TEST QUALIFICATION FOR AUTOMOTIVE GRADE DISCRETE SEMICONDUCTORS。
汽車用IGBT模塊驗證規范，2018年4月由 ECPE 歐洲電力電子研究網絡發布，標準名為AQG 324 Qualification of Power Modules for Use in Power Electronics Converter Units (PCUs) in Motor Vehicles，它前身(shen)是LV324，由汽車行(xing)業的廠(chang)商代表編制，包括(kuo)奧迪，BMW，戴姆勒，保時捷，大眾(zhong)等。
