正確理(li)解(jie)IGBT和(he)模(mo)塊的標(biao)準體系(xi)，對(dui)了(le)解(jie)產品特性(xing)，指(zhi)導(dao)系(xi)統設(she)(she)計用足產品特性(xing)，符合規(gui)范很有幫助，熟悉標(biao)準的工(gong)程師會在系(xi)統設(she)(she)計中更(geng)游刃有余。
IGBT絕緣柵(zha)雙極型晶體管是半導(dao)體產品，主要(yao)需要(yao)符合半導(dao)體標準(zhun)(zhun)，包(bao)括產品標準(zhun)(zhun)，測試標準(zhun)(zhun)及(ji)機(ji)械(xie)和氣(qi)候試驗方法(fa)標準(zhun)(zhun)等(deng)。
功率模塊是半導體(ti)的(de)一種封裝形式，通過內部芯片(pian)并聯(lian)實現更大的(de)標稱電(dian)(dian)流(liu)，或設計成應(ying)用所(suo)需要的(de)電(dian)(dian)路拓撲結構(gou)。它(ta)除了要符(fu)合(he)半導體(ti)體(ti)系(xi)(xi)標準(zhun)外(wai)，也(ye)需要符(fu)合(he)應(ying)用系(xi)(xi)統的(de)安全標準(zhun)。針對(dui)特定應(ying)用開(kai)發的(de)產品也(ye)要參照(zhao)系(xi)(xi)統標準(zhun)。
在整個產品標準體系中，有JEDEC，IEC，MIL等；在特定(ding)的應(ying)用領域(yu)，也有國家標準和行業標準。
IGBT是(shi)半(ban)導體，半(ban)導體有自己的行業協會，即JEDEC，全(quan)稱Joint Electron Device Engineering Council。它是(shi)全(quan)球(qiu)微電(dian)子產業的標(biao)準機構，已(yi)經制定并維護著1000余項標(biao)準與(yu)出版文件。JEDEC的主(zhu)要職能包括制定術語(yu)、定義、產品特(te)征描(miao)述與(yu)操作、測試方法、生產支持功能、產品質量與(yu)可靠性、機械外形等標(biao)準。
JEDEC有50個委員會和(he)分委員會，如JC-11，JC-14，JC-25等。
JC-11職(zhi)責范圍包括制定設(she)計指導(dao)文件(jian)(jian)；確定機(ji)械特性的標準測(ce)量方法，半(ban)(ban)導(dao)體(ti)封裝與(yu)組件(jian)(jian)的標準類型與(yu)注(zhu)冊類型的機(ji)械外形(xing)等，關于(yu)半(ban)(ban)導(dao)體(ti)器件(jian)(jian)的外形(xing)的文件(jian)(jian)JEDEC出版(ban)物JEP95就有(you)3000多頁。常見IGBT單管封裝形(xing)式TO-247就是由(you)JC-11委員會制定的。
JC-14負責封裝器件和晶片級可靠性標準，硅器件芯片及封裝成品的可靠性鑒定與監測以及質量流程與方法和失效分析等。客戶常見的PCN文件 Process Change Notice的縮寫(工序改動通知 )，是按照 IPC/JEDEC聯合標準發布的（J-STD-046 CUSTOMER NOTIFICATION STANDARD FOR PRODUCT/PROCESS CHANGES BY ELECTRONIC PRODUCT SUPPLIERS）。
JC-14還(huan)規定(ding)(ding)了可靠性試驗規范，如HTRB高溫(wen)反(fan)向偏置(zhi)試驗，H3TRB高濕(shi)高溫(wen)反(fan)偏實驗，TC溫(wen)度周次等(deng)實驗的測試方(fang)法及判定(ding)(ding)依(yi)據。
JC-25的職責是(shi)制(zhi)定包括硅晶體(ti)管，如雙極晶體(ti)管、場效應晶體(ti)管和絕緣柵晶體(ti)管，以(yi)及(ji)(ji)智能功(gong)率器(qi)件的相關標準和出版物，這些文(wen)件有(you)的對工(gong)程(cheng)師在應用IGBT時都(dou)很有(you)幫助，其中有(you)如何(he)測量(liang)管腳溫度，如何(he)用紅外成(cheng)像測芯(xin)片溫度以(yi)及(ji)(ji)短路測試方(fang)法(fa)等(deng)。
JEP84A RECOMMENDED PRACTICE FOR MEASUREMENT OF TRANSISTOR LEAD TEMPERATURE
JEP138 USER GUIDELINES FOR IR THERMAL IMAGING DETERMINATION OF DIE TEMPERATURE
JESD24-9 SHORT CIRCUIT WITHSTAND TIME TEST METHOD
此外，JEDEC制定了一系列測試方(fang)法(fa)，基于這(zhe)些(xie)方(fang)法(fa)，可以開發實用的測試儀(yi)器及測試平臺(tai)，例如 Mentor熱瞬(shun)態測試儀(yi)T3STER就是基于JESD51-14開發的。
JESD51-14 TRANSIENT DUAL INTERFACE TEST METHOD FOR THE MEASUREMENT OF THE THERMAL RESISTANCE JUNCTION-TO-CASE OF SEMICONDUCTOR DEVICES WITH HEAT FLOW THROUGH A SINGLE PATH
IEC是指國(guo)際(ji)電工(gong)委員(yuan)會。它(ta)成(cheng)(cheng)立于1906年，是世界上成(cheng)(cheng)立最早(zao)的國(guo)際(ji)性電工(gong)標(biao)準化(hua)機(ji)構，負責有關電氣工(gong)程和電子工(gong)程領域中的國(guo)際(ji)標(biao)準化(hua)工(gong)作。第(di)83屆(jie)IEC大會于2019年10月14日至25日在中國(guo)上海舉辦，主(zhu)題為“質量(liang)成(cheng)(cheng)就美好生活”，共邀(yao)請100多個國(guo)家(jia)的3800多名(ming)專(zhuan)家(jia)來華與(yu)會。
半(ban)(ban)(ban)導體(ti)器件屬(shu)于(yu)(yu)TC47技術委員(yuan)會，IGBT單(dan)管和模塊屬(shu)于(yu)(yu)SC47E分立半(ban)(ban)(ban)導體(ti)。這(zhe)里分立半(ban)(ban)(ban)導體(ti)是區別于(yu)(yu)集成電路，也包括模塊。英飛凌模塊設計主要參照IEC系列標準。
IEC60747系列標準規定(ding)了(le)HTRB，H3TRB，PC和TST等可靠(kao)性實驗的測試標準，IGBT器件(jian)遵守(shou)的標準為
IEC60747-9 Semiconductor devices-Part 9 Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
IEC60747-9對應(ying)的(de)國標(biao)是GB/T 29332—2012半導體器件分立(li)器件，其中第9部分：絕(jue)緣(yuan)柵雙極晶體管（IGBT），英飛凌是主要(yao)起草單位之一。
IGBT模塊所遵守標準是IEC60747-15 Discrete semiconductor devices-15 Isolated power semiconductor devices。
機械和氣候試驗方法標準適用標準為IEC60749 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods，對應(ying)的國標是GB/T 4937.1半導體(ti)器件機械和氣(qi)候試(shi)驗方(fang)法。
IGBT應用非常廣，有些應用領域和行業(ye)針對其特定應用要(yao)求，制定了(le)相關標準。
在直流輸電領域是高壓大電流應用，對IGBT特別的要求，SAC/TC60/SC6(即原來的TC413)組織成立了工作組，制定了國家標準GB/T37660-2019 《柔性直流輸電用電力電子器件技術規范》，并于(yu)2020年1月1日(ri)實施(shi)。英飛(fei)凌派員加入工(gong)作(zuo)(zuo)組，參加了起草(cao)工(gong)作(zuo)(zuo)。
在汽(qi)車行業(ye)中，有兩份相關(guan)標準為業(ye)內人士熟知：
汽車級分立半導體應力測試方法，由汽車電子委員會(AEC) 制定，標準名為AEC-Q101 STRESS TEST QUALIFICATION FOR AUTOMOTIVE GRADE DISCRETE SEMICONDUCTORS。
汽車用IGBT模塊驗證規范，2018年4月由 ECPE 歐洲電力電子研究網絡發布，標準名為AQG 324 Qualification of Power Modules for Use in Power Electronics Converter Units (PCUs) in Motor Vehicles，它前身是LV324，由汽車行業(ye)的廠商代(dai)表編(bian)制，包括奧迪，BMW，戴姆勒，保時(shi)捷(jie)，大眾等。
IGBT標準體系分兩部分，IGBT器件設計生產(chan)主要參照(zhao)JEDEC標準；功率模塊主要參照(zhao)IEC標準，安全認證為UL。
